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?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBD1401A / 1403A / 1404A / 1405A, Rev. A1
MMBD1401A / 1403A / 1404A / 1405A
Electrical Characteristics
TA=25°C unless otherwise noted
Typical Characteristics
Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units
BV
Breakdown Voltage IR
= 100
μA 250 V
IR
Reverse Leakage VR
= 120V
VR
= 175V
40
100
nA
nA
VF
Forward Voltage
MMBD1401A/1403A
MMBD1404A/1405A
MMBD1401A/1403A
MMBD1404A/1405A
IF
= 10mA
IF
= 50mA
IF
= 200mA
IF
= 200mA
IF
= 300mA
IF
= 300mA
760
800
920
1.1
1.0
1.25
1.1
mV
mV
V
V
V
V
CO
Diode Capacitance VR
= 0, f = 1.0MHz 2.0 pF
TRR
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 30mA
50 nS
IRR
= 1.0mA, R
L
= 100
?
Figure 1. Reverse Voltage vs Reverse Current
BV - 1.0 to 100μA
IR - 55 to 205V
Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. Reverse Current vs Reverse Voltage
IR - 180 to 255V
Figure 4. Forward Voltage vs Forward Current
VF - 1.0 to 100μA
275
3 5 10 20 30 50 100
300
325
Ta= 25°C
I - REVERSE CURRENT (uA)R
V - REVERSE VOLTAGE (V)
R
V
R
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten (10) Degree C increase in Temperature
055 75 95 115 135 155 175 195
10
20
30
40
50
V - REVERSE VOLTAGE (V)R
I - REVERSE CURRENT (nA)
R
Ta= 25°C
GENERAL RULE: The Reverse Current of a diode will approximately
double for every ten Degree C increase in Temperature
20180 200 220 240
30
40
50
60
70
80
90
Ta= 25°C
100
V - REVERSE VOLTAGE (V)R
I - REVERSE CURRENT (nA)
R
255
I
R
1 2 3 5 10 20 30 50 100
250
300
350
400
450
I - FORWARD CURRENT (uA)F
V - FORWARD VOLTAGE (mV)
F
Ta= 25°C
V
F
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